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Samsung MZ-V9S4T0 4 TB M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND TLC
Marca: Samsung
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Descripción
Samsung MZ-V9S4T0. SDD, capacidad: 4 TB, Factor de forma de disco SSD: M.2, Velocidad de lectura: 7250 MB/s, Velocidad de escritura: 6300 MB/s, Componente para: PC
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Especificaciones técnicas
NVMe:Si
Peso:9 g
Ancho:80,2 mm
Altura:80,2 mm
Interfaz:PCI Express 4.0
Profundidad:2,38 mm
Soporte TRIM:Si
Versión NVMe:2.0
SDD, capacidad:4 TB
Componente para:PC
Tipo de memoria:V-NAND TLC
Función DevSleep:Si
Soporte S.M.A.R.T.:Si
Velocidad de lectura:7250 MB/s
Voltaje de operación:3,3 V
Velocidad de escritura:6300 MB/s
Lectura aleatoria (4KB):1050000 IOPS
Golpes en funcionamiento:1500 G
Encriptación de hardware:Si
Escritura aleatoria (4KB):1400000 IOPS
Tiempo medio entre fallos:1500000 h
Consumo de energía (espera):0,06 W
Factor de forma de disco SSD:M.2
Tamaño de la unidad SSD M.2:2280 (22 x 80 mm)
Consumo de energía (lectura):5,5 W
Consumo de energía (escritura):4,8 W
Algoritmos de seguridad soportados:256-bit AES
Intervalo de temperatura operativa:0 - 70 °C
Consumo de potencia DevSlp (modo sueño):5 mW
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