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Samsung MZ-VAP2T0 2 TB M.2 PCI Express 5.0 NVMe V-NAND TLC
Marca: Samsung
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Descripción
Samsung MZ-VAP2T0. SDD, capacidad: 2 TB, Factor de forma de disco SSD: M.2, Velocidad de lectura: 14700 MB/s, Velocidad de escritura: 13400 MB/s, Componente para: PC/Consola de videojuegos
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Especificaciones técnicas
NVMe:Si
Peso:9 g
Ancho:80,2 mm
Altura:80,2 mm
Interfaz:PCI Express 5.0
Profundidad:2,38 mm
Soporte TRIM:Si
Versión NVMe:2.0
SDD, capacidad:2 TB
Componente para:PC/Consola de videojuegos
Tipo de memoria:V-NAND TLC
Tipo de embalaje:Caja
Función DevSleep:Si
Soporte S.M.A.R.T.:Si
Periodo de garantía:5 año(s)
Velocidad de lectura:14700 MB/s
Voltaje de operación:3,3 V
Velocidad de escritura:13400 MB/s
Lectura aleatoria (4KB):1850000 IOPS
Golpes en funcionamiento:1500 G
Encriptación de hardware:Si
Escritura aleatoria (4KB):2600000 IOPS
Tiempo medio entre fallos:1500000 h
Consumo de energía (espera):0,005 W
Factor de forma de disco SSD:M.2
Tamaño de la unidad SSD M.2:2280 (22 x 80 mm)
Consumo de energía (lectura):8,1 W
Consumo de energía (escritura):7,9 W
Algoritmos de seguridad soportados:256-bit AES
Intervalo de temperatura operativa:0 - 70 °C
Consumo eléctrico promedio (lectura):8,1 W
Carriles datos de interfaz PCI Express:x4
Consumo eléctrico promedio (escritura):7,9 W
Consumo de potencia DevSlp (modo sueño):4 mW
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