ECC:No
Ancho:69,6 mm
Altura:30 mm
No contiene:Halógeno
Latencia CAS:22
Placa de plomo:Oro
Componente para:Portátil
Memoria interna:4 GB
País de origen:Taiwán
Voltaje de memoria:1.2 V
Tiempo activo en fila:32 ns
Tiempo de ciclo de fila:45,75 ns
Tipo de memoria interna:DDR4
Forma de factor de memoria:260-pin SO-DIMM
Tipo de memoria con búfer:Unregistered (unbuffered)
Certificados de conformidad:RoHS
Intervalo de temperatura operativa:0 - 85 °C
Intervalo de temperatura de almacenaje:-55 - 100 °C
Diseño de memoria (módulos x tamaño):1 x 4 GB
Código de Sistema de Armomización (SA):84733020
Tiempo de actualización de ciclo de fila:350 ns
Rango de memoria de transferencia de datos:3200 MT/s